MoS2纳米管，Science!

本研究背景于半导体过渡金属硫族化合物纳米管，因其圆柱形结构在纳米电子学中有潜力，但传统方法难以制备直径小于2纳米的超细纳米管。研究目的旨在通过限域反应在氮化硼纳米管内部生长单壁MoS₂纳米管，突破直径极限并实现手性控制。结论表明，成功合成了直径接近1纳米的单壁MoS₂纳米管，首次实验证实了扶手椅构型的强手性选择性（直径小于2纳米时占比84%），并观察到带隙随直径减小从1.8 eV红移至1.3 eV，与理论预测一致。限域空间稳定了高应变结构，揭示了动力学控制机制，为纳米电子器件和能带工程提供新途径。