研究透视：曹庆，硅晶体管-单片三维集成 | Nature

本文回顾了单片三维集成电路通过垂直堆叠晶体管以突破平面晶体管密度限制、降低互连延迟和能耗的研究背景。研究目的是克服在严格热预算（≤400 °C）条件下制备高性能上层晶体管的挑战，解决跨层器件性能失配问题。曹庆副教授课题组报道了一种基于均匀掺杂、超薄（≤10 nm）单晶硅纳米膜的晶圆级堆叠方法，采用卷对卷转移打印工艺在<200 °C下实现垂直堆叠，并构建了与后段制程兼容的无结晶体管，输出电流密度超过650 μA/μm，层间对准精度达亚10 nm。该技术成功制备了反相器、NAND门、NOR门及三层垂直集成的SRAM单元，为基于单晶硅的单片3D集成电路提供了可扩展的技术路线。