天津大学武恩秀课题组：通用核壳纳米线忆阻器：类脑计算新平台

传统冯·诺依曼架构因存算分离导致能耗和延迟问题，忆阻器作为突破存算瓶颈的核心候选器件，其导电细丝随机生成导致性能不稳定。本研究提出一种通用核壳纳米线忆阻器平台，通过银纳米线-聚乙烯吡咯烷酮（Ag-PVP）核壳结构，利用准二维空间限域有效抑制导电细丝随机性，实现超低阈值电压（0.22 V）、高开关一致性（变异系数<15%）及超低功耗（约400 pW）。分子动力学模拟揭示了导电细丝的自发断裂机制，并成功模拟了生物伤害感受器的核心功能。该平台为类脑计算与大规模神经形态电子系统开辟了新路径，研究成果发表于Advanced Functional Materials。