中国团队重要突破！将为芯片技术自主可控提供关键材料

背景：随着芯片技术进入后摩尔时代，原子级厚度的二维半导体因其优异性能被视为核心候选材料，但现有体系存在N型与P型材料性能失衡的问题。研究目的：国防科技大学与中国科学院金属研究所联合团队旨在开发新型高性能二维半导体材料，实现晶圆级可控生长与掺杂，以解决材料体系的结构性失衡。结论：团队成功建立了以液态金/钨双金属薄膜为衬底的化学气相沉积方法，实现了晶圆级、掺杂可调的单层WSi2N4薄膜的可控生长，该材料在空穴迁移率、开态电流密度等方面表现突出，综合性能优异，有望为后摩尔时代芯片技术提供关键材料支撑，推动二维半导体CMOS集成电路的应用。