Nano Lett. | 清华大学：界面调控构筑高性能二维半导体异质结光电探测器

背景：随着半导体技术向更小尺寸演进，原子级厚度的二维半导体因其优异的光电性质被视为下一代集成电路的重要材料，但在实际制备中，金属电极与二维半导体接触时易引入界面态，导致费米能级钉扎和较高的肖特基势垒，增加接触电阻，阻碍电荷高效传输。研究目的：清华大学研究团队旨在通过界面调控，构筑高性能的二维半导体异质结光电探测器，解决接触电阻高的难题。结论：该研究利用两步化学气相沉积法精准构筑了WS2/SnS2垂直异质结，并通过物理转移技术避免原子轰击损伤，将肖特基势垒从110 meV降低至59 meV，使器件电流提升3个数量级。该异质结形成II型能带排列，光生载流子高效分离，探测器在白光下展现出5.8×10^10 Jones的探测率和98.33 A/W的高响应度，性能处于领先水平，为高性能光电子平台提供了新思路。