这篇Science，会发光！

背景：传统宽禁带半导体如铝镓氮（AlGaN）在深紫外波段面临光学各向异性和高缺陷密度导致的效率低下问题，而二维材料中的莫尔超晶格调控为光-物质相互作用提供了新思路，但如何将其拓展至三维块体材料以实现高效深紫外发光是关键挑战。研究目的：通过在三维块体六方氮化硼（hBN）的扭转同质结界面构建新型莫尔量子阱，探索高效、可调的深紫外发光机制。结论：研究成功在hBN扭转界面形成周期性莫尔超晶格，作为原子级薄量子阱，将电荷载流子局域在最小带隙的重构堆叠域中，实现了远超AlGaN多量子阱的高效深紫外光致发光，外量子效率提升近20倍，内量子效率下限达50%，并通过电致发光原型器件验证了其应用潜力，为开发下一代深紫外光源开辟了新路径。