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iNature 2026-02-28 12:00
文章摘要
背景:手性反铁磁体结合了反铁磁体和铁磁体的优点,被视为下一代存储器的关键材料,但其无磁场完全电切换是实现实际应用的主要障碍。研究目的:清华大学宋成团队旨在通过材料与结构设计,实现手性反铁磁序的无场全电学翻转。结论:研究通过构建Mn3Sn同质结,利用多晶层倾斜Kagomé几何产生的对称与不对称自旋驱动力,整合了反铁磁与铁磁切换的优点,成功实现了可控、高效的无场全切换。这一突破为开发高密度、超快、低功耗磁存储及太赫兹器件提供了关键技术基础。
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