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背景：过渡金属硫族化合物（TMDCs）如MoS2是前景广阔的二维半导体材料，但传统金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术存在生长动力学缓慢、晶畴尺寸小和碳污染等问题，制约其工业化应用。研究目的：针对上述问题，研究团队旨在揭示MoS2薄膜生长的基本动力学限制，并通过引入氧辅助MOCVD（oxy-MOCVD）技术予以克服，以实现高质量、大面积单晶MoS2的可控制备。结论：研究成功通过oxy-MOCVD技术，将反应能垒从超过2.0 eV降至1.15 eV，显著加速了生长动力学，制备出无碳污染、晶畴尺寸达260微米、迁移率超过100 cm²V⁻¹s⁻¹的单晶MoS2薄膜，并在150毫米蓝宝石衬底上实现了全片单向对齐的晶圆级均匀生长，证明了该技术具备工业级生产的可行性，为二维半导体商业化奠定了基础。