突破耐久极限！北京大学，重磅Science！

背景：铁电材料在非易失性存储器和下一代电子器件中潜力巨大，但传统铁电氧化物薄膜存在结构不均匀、界面退极化及性能衰退等问题，尤其在微缩至先进技术节点时更为突出。研究目的：北京大学团队旨在开发一种超薄、均匀且与后端工艺兼容的范德华铁电氧化物，以克服现有材料的局限，实现高性能、低功耗的铁电场效应晶体管。结论：研究成功实现了4英寸晶圆级范德华铁电氧化物Bi2SeO5的可控制备，该材料具备原子层均匀性、高介电常数及抗退极化场特性。基于此构建的铁电场效应晶体管阵列实现了0.8V超低工作电压、超低能耗、超过1.5×10^12次循环耐久性及高器件均匀性，所开发的存内逻辑电路可在亚1V电压下运行，为后摩尔时代计算架构提供了可扩展、可靠且兼容三维集成的二维铁电平台。