南京大学最新Science

背景：原子级薄的过渡金属二硫族化合物薄膜的生长行为受动力学控制，传统金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法存在生长速率慢、畴尺寸小和碳污染等问题。研究目的：南京大学等机构的研究团队旨在阐明限制高质量二硫化钼生长的动力学瓶颈，并开发一种新技术以克服这些限制。结论：研究提出了氧辅助MOCVD技术，通过引入氧气与金属有机前体预反应，生成高纯度中间体，实现了二硫化钼畴尺寸达数百微米、生长速率提升两个数量级以上、无碳杂质且迁移率高的高质量薄膜生长，并在150毫米晶片上展示了该技术的可扩展性，为工业规模生产奠定了基础。