Nano Lett. | 中国科学技术大学：超薄高导电材料的高通量第一性原理设计

背景：二维金属因其原子级厚度和高电导性在微电子等领域潜力巨大，但其热力学不稳定性限制了实际应用。范德华挤压技术通过封装增强了其稳定性。研究目的：中国科学技术大学研究团队旨在通过高通量第一性原理计算，设计由六方氮化硼（h-BN）封装二维金属核的稳定三明治异质结构，以提升材料的热稳定性和电导率。结论：研究成功构建了[h-BN]x/My/[h-BN]x结构，筛选出铜（Cu）和金（Au）等金属核，证实了其优异的热稳定性和高电导性能，为纳米电子学和柔性电子器件提供了理论依据和材料设计方向。