「国家杰青」田鹤领衔！浙江大学洪子健/吴勇军Nature子刊 | 室温下氧化物超晶格中极性斯格明子包的调控！

背景：近年来，计算材料科学、薄膜生长和表征技术的发展推动了多种极性拓扑相的发现，极性斯格明子作为一种漩涡状电偶极纹理已在室温下于PbTiO₃/SrTiO₃氧化物超晶格中被观测到。研究目的：浙江大学洪子健、田鹤、吴勇军等研究者旨在探索在铁电/介电氧化物超晶格中创建、演化和破坏室温极性斯格明子包的过程，并研究其拓扑电荷的可调控性。结论：通过整合压电力显微镜、原位扫描透射电子显微镜实验与相场模拟，研究实现了利用电场脉冲创建、操纵和溶解具有可调拓扑电荷的斯格明子包，揭示了其与电读出力关联可实现多级存储，且袋内斯格明子及其壁表现出更高电流密度，增强了存储器件的可靠性和应用潜力，为高密度、可扩展的纳米电子器件开辟了前景。