「国家杰青」田鹤领衔！浙江大学洪子健/吴勇军Nature子刊 | 室温下氧化物超晶格中极性斯格明子包的调控！

背景：计算材料科学、高质量薄膜生长和先进表征技术的发展促进了多种极性拓扑相的发现，极性斯格明子作为一种漩涡状电偶极纹理已在室温下于PbTiO₃/SrTiO₃氧化物超晶格中被观察到。研究目的：浙江大学洪子健、田鹤、吴勇军等研究者旨在探索在铁电/介电氧化物超晶格中创建、演化和破坏室温极性斯格明子包的过程，并研究其调控机制。结论：通过带电尖端施加电场脉冲可实现斯格明子袋的形成、操纵和溶解，并调节其拓扑电荷；结合实验与相场模拟，该工作揭示了斯格明子袋在多态高密度存储器件中的应用潜力，如实现多级存储单元和增强数据可靠性，为未来纳米电子器件发展提供了新方向。