AM | 具有减少本征缺陷的扩展InSe晶体结构用于高性能场效应晶体管

本文介绍了山东大学等研究团队在中国空间站微重力环境下成功生长InSe半导体晶体的突破性研究。背景方面，InSe晶体因优异特性在微电子领域前景广阔，但地面制备存在严重缺陷问题。研究目的是利用空间站微重力环境抑制重力效应，改善晶体生长质量。实验结果表明，太空生长的InSe晶体出现晶格膨胀，带隙变窄，缺陷形成能提高，制备的场效应晶体管迁移率达2250 cm²V⁻¹s⁻¹，是地面样品的4倍，光电性能显著提升。结论证实微重力环境能有效降低晶体缺陷，为高性能电子器件制备提供新途径。