(纯计算)南京大学唐峰团队Phys. Rev. B: 扩展型节点结构诱导的大Berry曲率效应：合理设计策略与高通量材料预测

本文针对扩展型节点结构诱导的Berry曲率效应展开研究。背景方面，传统Weyl/Dirac半金属的零维节点结构需要精确调控化学势才能产生显著Berry曲率效应，而高维节线和节面结构更易与费米面相交。研究目的旨在开发基于直节线和平节面的大Berry曲率材料设计策略，通过系统分析1651个磁空间群，建立节点结构与反常霍尔效应的关联机制。结论表明：该策略成功识别出158个允许非零反常霍尔电导的磁空间群，经高通量计算筛选出60种电导率超过500Ω−1cm−1的材料，并通过SrRuO3、Ca2NiOsO6等典型案例验证了节面/节线对Berry曲率的贡献，同时通过HoNi材料演示了对称性破缺调控方法，为新型电子器件设计提供了理论指导。