上海交通大学王林课题组,Adv. Mater.!

研之成理 2025-10-27 14:00
文章摘要
背景:随着晶体管尺寸持续微缩,传统MOSFET器件面临严重功耗问题,负电容晶体管因能突破玻尔兹曼极限而成为重要研究方向,但存在回滞效应和铁电层微缩难题。研究目的:上海交通大学王林团队旨在通过范德华铁电材料CuCrP2S6和二硫化钼沟道构建零回滞负电容场效应晶体管。结论:该研究实现了与扫描速率无关的零回滞特性,并成功制备出工作电压仅0.2V的反相器,为低功耗电子器件提供了新解决方案。
上海交通大学王林课题组,Adv. Mater.!
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Issue Publication Information
DOI: 10.1021/aev008i019_1993572 Pub Date : 2025-10-13
IF 5.5 3区 材料科学 Q2 ACS Applied Energy Materials
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