西安工业大学/西安交通大学等合作：相界与氧八面体倾转协同调控实现BNT基单晶高压电性能

本文研究了Nb5+离子取代的BNT基单晶材料。研究背景源于无铅压电材料在传感器和致动器领域的迫切需求，传统BNT基材料压电性能有限。研究目的是通过构建四方-准立方相界和氧八面体有序-无序倾转边界来提升压电性能。结果表明，该单晶室温压电系数达662 pC/N，在92°C时峰值达920 pC/N，并通过原位X射线衍射和球差电镜揭示了电场诱导相变机制和八面体倾转行为。结论表明成分驱动相界与倾转边界的协同作用可显著增强压电性能，为无铅压电材料设计提供了新策略。