7nm，远程外延生长-CsPbBr₃薄膜 | Nature

本文背景介绍了远程外延作为一种新兴技术，通过二维材料缓冲层实现薄膜外延生长，突破传统晶格匹配限制。研究目的是探索远程外延在更大层间距（2-7纳米）条件下的可行性，挑战传统理论认为远程相互作用距离应小于1纳米的认知。通过实验展示了CsPbBr₃在NaCl衬底上的外延生长、KCl同质外延以及GaN衬底上ZnO微米棒的远程外延过程，发现位错缺陷在远程外延中起关键作用。结论表明通过调控缺陷介导的长程相互作用，可以实现远程外延过程的定向设计与工程化调控，为先进电子和光电子器件设计提供新机遇。