北京大学，Nature Electronics!

背景：随着第六代无线通信技术的发展，对工作在太赫兹频段的射频器件需求日益迫切。传统硅基MOSFET和III-V族半导体存在频率性能不足或工艺兼容性问题。研究目的：通过优化栅极结构和制备工艺，开发基于定向碳纳米管阵列的高性能MOSFET，实现太赫兹频段工作。结论：成功制备出35nm栅长碳纳米管MOSFET，其功率增益截止频率首次突破1THz达1024GHz，并展示了30GHz毫米波放大器21.4dB的增益性能，器件在关键指标上优于现有技术，为6G通信和太赫兹系统集成奠定基础。