麻省理工学院，Nature！
研之成理
2025-10-01 18:58
文章摘要
本文针对范德华材料与硅基工艺不兼容的难题，提出基于电双层静电排斥的新型转移技术。研究背景指出传统转移方法存在材料损伤和界面污染等问题，制约了二维材料在集成电路中的应用。研究目的是通过浓氨水溶液实现材料与衬底的无损快速分离，开发兼容CMOS工艺的转移方案。结论表明该方法可实现近理想电学性能，包括68.4 mV/dec的亚阈值摆动和100%器件成品率，为三维集成技术奠定基础，同时支持衬底重复使用和晶圆级扩展。
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