研究前沿：北京理工大学，二维铁电CuInP₂S₆单晶 | Nature Materials

本研究聚焦于范德瓦尔斯铁电晶体CuInP₂S₆中极化气泡的生成与调控机制。背景方面，铁电拓扑织构因其在非易失性高密度存储领域的应用潜力备受关注，但传统制备依赖异质结构限制。研究目的旨在探索无需空间限域即可实现高密度极化气泡的方法。通过压电响应力显微镜观察和理论模拟发现，极性相共存环境自然形成气泡畴，且机械力可调节相比例，通过极性竞争与挠曲电效应驱动迷宫畴向孤立气泡转化。结论表明，该机制突破了异质结构依赖，为可控拓扑结构创建及新型存储器件开发提供了新途径，有望推动柔性电子与高性能存储芯片发展。