(纯计算)德克萨斯大学奥斯汀分校Nano Lett.: 通过谷间散射的自旋-轨道抑制实现单层WSe2中的超高空穴迁移率

本文报道了德克萨斯大学奥斯汀分校Feliciano Giustino课题组在Nano Letters上发表的研究。背景：为寻找高迁移率二维材料，近年来开展了大规模第一性原理计算筛选。研究目的：揭示单层WSe2中超高空穴迁移率的微观机制。结论：研究发现931 cm²/(V·s)的高迁移率源于自旋-轨道耦合抑制谷间散射，同时弱极性和压电相互作用也起关键作用。当缺陷密度为10¹²-10¹³ cm⁻²时，迁移率会显著降低至54-6 cm²/(V·s)。该研究指出自旋-轨道工程是设计高迁移率半导体的有效策略，使WSe2成为高性能p型沟道器件的理想候选材料。