固态提纯方法制备超高纯度单晶石墨 | 进展

背景：高纯材料是半导体、新能源等尖端科技领域的基础材料，但传统提纯方法难以处理超高升华点的范德华材料如石墨，且会破坏晶格结构。研究目的：开发新型固态提纯方法，突破现有工艺的纯度极限和结构完整性限制，制备超高纯度单晶石墨。结论：研究团队提出“晶格传质-界面生长”的固态提纯新方法，成功制备出纯度极高的单晶石墨，具有极低的元素和结构缺陷密度，以及优异的电学性能，为前沿研究和工业应用提供了重要材料基础。