首例单晶钙钛矿氮化物铁电薄膜

背景：氮化物材料因化学稳定性高、能带结构可调控等特性在基础研究和器件应用中具有潜力，但高质量单晶薄膜制备仍是技术瓶颈。研究目的：通过氨气氮化退火方法，实现高质量钙钛矿氮化物CeTaN₃单晶薄膜的外延生长，并验证其铁电特性。结论：成功制备出CeTaN₃单晶薄膜，具有稳定的铁电性和窄带隙特性，可在多种衬底上外延生长，展现出在铁电存储和光电子器件等领域的应用前景。