李统藏，最新Nature!!!
材料人
2025-07-12 10:31
文章摘要
本文介绍了普渡大学李统藏教授团队在六方氮化硼（hBN）中可控制备碳相关单自旋缺陷的研究成果。背景方面，固体中的光学活性自旋缺陷是量子传感和量子网络的理想候选者，但hBN中自旋缺陷的化学结构仍未知，且检测单个核自旋困难。研究目的是通过¹³C离子注入在hBN中制备单自旋缺陷，并实现单核自旋的高精度操控。结论方面，团队成功识别出三种缺陷类型，首次观察到S=1/2与S=1自旋态共存，并在室温下实现单核自旋探测与操控，为二维材料量子传感和核自旋量子存储器应用奠定了基础。
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