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研之成理
2025-07-11 22:39
文章摘要
本研究背景基于宽禁带材料的高电子迁移率晶体管（HEMT）在高频高功率应用领域的潜力，特别是AlGaN-GaN界面处形成的二维电子气（2DEG）的优异载流子迁移率。研究目的是通过采用铁电性HfO2-ZrO2双层结构作为栅介质，解决传统肖特基栅极高漏电流的问题，同时提升导通电流。研究结论表明，该方法突破了肖特基型氮化镓晶体管的传统性能极限，实现了导通电流提升与漏电流降低的协同优化，为基于二维电子气的晶体管性能提升开辟了新途径。
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