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研之成理 2025-07-11 22:39
文章摘要
本研究背景基于宽禁带材料的高电子迁移率晶体管(HEMT)在高频高功率应用领域的潜力,特别是AlGaN-GaN界面处形成的二维电子气(2DEG)的优异载流子迁移率。研究目的是通过采用铁电性HfO2-ZrO2双层结构作为栅介质,解决传统肖特基栅极高漏电流的问题,同时提升导通电流。研究结论表明,该方法突破了肖特基型氮化镓晶体管的传统性能极限,实现了导通电流提升与漏电流降低的协同优化,为基于二维电子气的晶体管性能提升开辟了新途径。
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