佛山大学陈文骏、赵仕龙、滕长久AFM：二维MnPS₃层间滑移诱导的面外铁电性

本文研究了二维MnPS₃在常温下的面外铁电性及其在多功能铁电器件中的应用。背景方面，随着数据存储需求的增加，二维铁电材料因其非易失性和多场调控特性受到广泛关注。研究目的是探索二维MnPS₃在常温下的铁电性及其物理机制。通过压电力显微镜（DART-PFM）等技术，首次观测到二维MnPS₃的面外铁电极化现象，并揭示其源于层间滑移引起的晶体结构对称性破缺。结论方面，研究团队成功构筑了基于二维MnPS₃滑移铁电栅和WSe₂沟道的范德华铁电场效应晶体管（FeFET），实现了双极性高低阻态的切换，为多功能铁电器件的开发提供了新思路。