AFM:新型印记抑制方法提高铁电存储器件的可靠性

知社学术圈 2025-07-03 11:30
文章摘要
随着信息技术的发展,非易失性存储器对大容量、高速和低功耗的需求日益迫切。氧化铪(HfO2)基铁电薄膜因其优异的CMOS工艺兼容性和低功耗特性,成为下一代存储技术的有力竞争者。然而,印记效应是铁电存储器的主要可靠性问题之一,尤其在HfO2基铁电多值存储中更为显著。周益春教授团队研究发现,印记效应导致中间极化状态无法准确写入,并提出了一种带电氧空位形成内建电场的失效模型。通过相场模拟验证后,团队设计了一种预编程方法,有效抵消了印记效应的影响,为多值HfO2基铁电存储器的可靠性提供了新的解决方案。
AFM:新型印记抑制方法提高铁电存储器件的可靠性
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