文献速递|印度尼西亚纳米中心ASS:催化剂对氮化镓纳米材料电子性质的影响

本文研究了不同催化剂（Ge、Ni及Ge/Ni组合）对氮化镓纳米材料（GaN-NMs）电子性质的影响。通过X射线吸收光谱（XAS）技术，分析了Ga L和N K边的特征，发现催化剂类型对氮轨道中sp3/sp2比值有显著影响。温度依赖性XAS谱显示，Ni和Ge催化的GaN-NMs在80 K处sp2轨道贡献占主导，而Ge/Ni催化的GaN-NMs则表现出sp3轨道贡献的微小增加。此外，电流-电压测量表明，Ge/Ni催化的GaN纳米晶体具有最佳的光电响应，这归因于其较大的表面积。研究揭示了通过形态控制调节GaN纳米晶体电子性质的机制，为光电子器件的应用提供了新思路。