PbTiO₃/LaAlO₃体系中首次发现常规180°铁电畴壁与反相畴界互耦现象

本文介绍了中国科学院物理研究所和北京科技大学的研究团队在PbTiO₃/LaAlO₃体系中首次发现常规180°铁电畴壁与反相畴界（APB）互耦现象的研究成果。研究背景是铁电畴壁随机存储器在解决硅基存储技术“存储墙”问题中的潜力，但存在可靠性、传导电流和存储密度等挑战。研究目的是探索新型互耦体系以提升存储器件性能。通过透射电子显微学和第一性原理计算，发现互耦体系具有优异的抗干扰性能和极化翻转特性，可通过缺陷工程调控物性，为高密度、低能耗、高耐久性非易失性存储器提供了新思路。结论表明该互耦体系在存储器件应用中具有广阔前景。