(纯计算)湖南大学蒋英/谢声意团队Nano Lett.: Rashba型分裂诱导的纯面外自旋极化

本文由湖南大学蒋英和谢声意团队发表在Nano Letters上，研究了Rashba型分裂诱导的纯面外自旋极化现象。背景方面，传统的Rashba分裂只能产生面内自旋极化，而垂直磁化翻转需要外部磁场，这限制了高密度磁存储器的发展。研究目的是开发一种能产生纯面外自旋极化的简单通用系统。通过第一性原理计算，作者预测单层过渡金属二硫化物（TMDs）中可以实现纯面外Rashba型自旋分裂，并有望产生纯面外极化自旋电流。结论表明，这种机制可能扩展到其他具有面内对称性破缺的材料，为无场自旋电子学的发展提供了新的可能性。