北京大学王路达团队Nano Lett. | 基于零维纳米限域孔结构的纳流体忆阻器研究

本文介绍了北京大学王路达团队在纳流体忆阻器领域的研究成果。背景方面，随着大数据和人工智能的发展，仿生神经形态器件因其并行处理和低能耗优势成为突破传统计算架构瓶颈的重要方向。研究目的是解决现有微米级通道结构导致的离子传输效率低、能耗高等问题。研究团队利用二维材料的原子级厚度优势，开发了基于石墨烯和MoS2的零维纳米限域孔结构的新型纳流体忆阻器。结论表明，该器件在离子电导和电学特性方面展现出优异的性能，实现了低能耗（每脉冲约0.546 pJ）和高调控性，为神经形态计算和类脑人工智能提供了新思路。