研究前沿：氮化镓多通道器件-芯片 | Nature Electronics
今日新材料
2025-05-23 07:42
文章摘要
本文研究了氮化铝镓/氮化镓基超晶格场效应晶体管在多通道器件中的锁存效应。研究发现，在锁存条件下，漏极电流以每十倍小于60mV的斜率急剧地从关断状态转变到高导通状态。通过电流-电压测量、模拟和电致发光发射分析，发现锁存效应主要由鳍片宽度相关的局部碰撞电离触发，且这种局部化归因于制造过程中的可变性。研究还表明，锁存条件是可逆和非退化的，并且可以提升晶体管的转导特性，从而在射频功率放大器中提高线性度和功率。
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