The Innovation | 原子级微雕突破！26 mV忆阻器开启超低功耗计算新时代

本研究通过单晶二维介电材料h-BN的原子级缺陷工程，实现了非易失性忆阻器的超低功耗与高性能突破。研究团队在单晶h-BN中精准铺设银原子的“量子高速路”，仅需26 mV驱动电压，使器件功耗降至九百亿分之一瓦，并能“记住”数据长达10年。通过调控导电枝晶构建“离子级高速公路”，引导银离子沿特定路径迁移，形成稳定导电路径。实验与建模确认了缺陷密度的黄金比例，优化后的器件在超低电压以及高开关比方面综合性能最优，为后摩尔时代芯片提供了"原子级施工图"。