The Innovation Materials | 原子级“破案”！CaF₂晶体位错结构首次揭秘！

本研究针对CaF2晶体中高位错密度限制其光学性能的问题，采用HR-EBSD与iDPC-STEM技术，首次在原子尺度揭示了CaF2晶体中两类位错（统计储存位错SSDs和几何必需位错GNDs）的结构特征与形成机制。研究发现SSDs主要由全位错构成，而GNDs则以Frank不全位错为主，并伴随局部堆垛层错。通过第一性原理计算和热处理实验，研究还验证了位错自我调节的可能性，为制备低缺陷CaF2晶体提供了理论依据和实践方法。这一成果对推动高性能光学材料的发展具有重要意义。