(纯计算)长沙理工大学张卫兵团队Phys. Rev. B: 电场诱导二维双层二阶拓扑绝缘体中的层极化角态

本文研究了二维双层二阶拓扑绝缘体（SOTIs）中层极化角态的电场调控。背景方面，具有角态的二维SOTIs因其在拓扑电子器件中的潜在应用而备受关注，但层极化角态的研究仍有限。研究目的是设计具有层极化角态的二维SOTIs，并探讨角态与自旋等自由度的耦合。通过AA堆叠双层二维SOTIs模型，研究发现垂直电场可诱导层极化角态，其转变取决于层间交换对称性。结论表明，电场调控层极化角态可在多种双层SOTIs和层间磁构型中实现，为拓扑电子器件设计提供了新策略。