电子科大/浦项工大：高性能蒸镀钙钛矿薄膜晶体管TFT | Nature Electronics

本文介绍了电子科技大学和浦项工大合作研究的高性能蒸镀钙钛矿薄膜晶体管（TFT）。研究背景指出，锡（Sn）基钙钛矿因其高空穴迁移率被视为下一代CMOS技术中高性能p沟道TFT的理想候选材料，但高质量薄膜沉积仍是挑战。研究目的是通过热蒸发结合固态反应的新策略，实现高性能CsSnI3钙钛矿p型TFT。研究结论表明，引入PbCl2显著加速了固态反应，制备出大晶粒、致密均匀的钙钛矿薄膜，器件展现出33.8 cm2V-1s-1的高空穴迁移率和108的高电流开关比，为钙钛矿电子器件大面积集成与商业化应用提供了新路径。