大尺寸批量化石墨板上CVD SiC生长机理研究

本文研究了在大尺寸批量化石墨板上通过化学气相沉积（CVD）生长SiC的机理。背景方面，石墨因其耐高温和化学稳定性被广泛用作薄膜生长衬底，但高温下易被氨腐蚀，因此需要SiC涂层。研究目的是通过多尺度模拟和实验，分析气体流速、沉积压力和甲基三氟硅烷（MTS）与H2摩尔比对CVD SiC工艺的影响。结果表明，在气体流速300 sccm、压力160 mbar、nMTS:nH2为1:8时，SiC沉积速率和质量最佳。结论指出，该研究为批量生产大尺寸石墨板上SiC涂层提供了理论和实用价值，对半导体行业具有重要意义。