NSR | 高压诱导BiI3导电类型和自驱动光电流极性的显著反转

本文研究了高压诱导下金属卤化物BiI3导电类型和自驱动光电流极性的显著反转现象。背景方面，半导体载流子极性和浓度的调控是现代电子学的核心问题，但单一材料中实现极性可调和可逆切换仍具挑战性。研究目的是探索高压下能在半导体-半导体相变中实现导电类型快速切换的材料。吉林大学研究团队利用金刚石对顶砧技术发现BiI3在高压下发生p-n型转变，并显著提升其光电响应特性，同时保持约1.1 eV的带隙。结论表明，这种反常的压强诱导转变及基于光热电效应的自驱动光电流判断载流子极性的新方法，为逻辑电路设计和器件性能优化提供了新途径。