华东师范大学 Nat. Commun. ：首次完整揭示GeSe非常规面外（反）铁电机制

本文研究了IV族单硫属化物GeSe中的非常规面外反铁电性。传统认知中不具备铁电性的GeSe，实际展现出非常规面外反铁电性，这源于层间范德华相互作用导致的势能分布差异。通过施加垂直外部电场，可以在GeSe薄片上实现反铁电-铁电转变以及极化反转，产生两种相反的极化状态。原位原子成像观察到的键合畸变与第一性原理计算揭示的垂直极化相互印证，证实了GeSe中存在隐藏的面外反铁电性和场感应铁电极化。这一成果不仅拓展了铁电材料的范畴，还为IV族单硫属化物及其他中心对称范德华层状材料的研究开辟了新的方向，有望推动低功耗存算感一体化芯片等高性能电子和光电器件的发展。