第一性原理与DFT驱动下的区域选择性原子层沉积解析:多尺度建模方法、技术瓶颈与跨学科应用前景

计算材料学 2025-04-22 12:02
文章摘要
本文探讨了第一性原理与密度泛函理论(DFT)在区域选择性原子层沉积(AS-ALD)中的应用。研究背景指出,随着微电子器件尺寸逼近物理极限,传统制造工艺面临挑战,AS-ALD因其原子级厚度控制能力成为关键工艺。研究目的是通过多尺度建模方法(如DFT、分子动力学和蒙特卡洛模拟)解析AS-ALD的选择性机制,优化工艺参数。结论表明,计算化学方法在揭示表面反应机理、指导抑制剂设计和工艺优化方面发挥了重要作用,并为3纳米以下节点的微电子制造提供了关键解决方案。
第一性原理与DFT驱动下的区域选择性原子层沉积解析:多尺度建模方法、技术瓶颈与跨学科应用前景
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