(纯计算)韩国成均馆大学Nano Lett.: 非中心对称γ-GeSe中应变驱动的高阶拓扑狄拉克半金属

本文研究了非中心对称γ-GeSe材料在应变作用下的拓扑相变。背景方面，非中心对称高阶拓扑狄拉克半金属（HOTDS）相因其独特的表面现象和潜在应用价值成为研究热点，但在强自旋-轨道耦合（SOC）的固态系统中实现仍具挑战性。研究目的是探索γ-GeSe材料在应变条件下的拓扑相变行为。通过第一性原理计算，作者发现γ-GeSe在面内双轴拉伸应变下会经历从拓扑节线半金属到狄拉克半金属再到HOTDS相的转变，其中HOTDS相的特征是狄拉克点与高阶拓扑绝缘相在kz=0平面共存。结论表明γ-GeSe为研究非中心对称体系的应变工程拓扑现象提供了理想的实验平台。