纽约州立大学团队：精准控制合成带隙可调的二氧化锡纳米晶 | Precis. Chem.

本文研究了二氧化锡（SnO₂）纳米晶体的精准控制合成及其带隙可调特性。研究背景指出SnO₂作为一种n型半导体，在高性能钙钛矿太阳能电池中具有重要应用价值。研究目的是通过调整合成参数（如氧化剂、反应温度、溶剂和反应时间）来精确控制SnO₂纳米晶的尺寸、形貌和电子结构。实验结果表明，不同合成条件可得到不同尺寸和形貌的SnO₂纳米晶，且这些纳米晶具有可调的带隙和电子结构。结论指出，通过热溶液法合成的SnO₂纳米晶具有更窄的带隙和更高的氧空位浓度，这些特性可根据特定应用需求进行调控。