西安电子科大周益春团队：突破HfO₂基铁电薄膜抗疲劳性能难题！

随着新兴信息技术的快速发展，全球数据量激增，对高容量、高可靠性非易失性存储器的需求日益迫切。氧化铪(HfO₂)基铁电存储器因其与CMOS工艺兼容、尺寸微缩性强及低功耗等特性，成为未来最具市场竞争力的新型存储器之一。然而，反复写入和擦除过程中出现的薄膜疲劳失效现象阻碍了其大规模产业化应用。西安电子科技大学周益春教授团队通过设计Hf₀.₅Zr₀.₅O₂-ZrO₂超晶格结构，深入研究了极化翻转过程中的电荷注入现象与宏观疲劳失效之间的关联机理，成功制备出高耐久性(＞1012次电场循环)铁电薄膜材料，并具备低矫顽场和快速极化翻转速度。这一成果为解决HfO₂基铁电存储器疲劳失效问题提供了新的理论基础和解决思路。