ACS Nano | 基于二维磁性材料与异质结的自旋电子学器件

本文总结了二维磁性材料及其异质结在自旋电子学器件中的应用现状和前景。背景方面，自2017年二维磁性材料被发现以来，其在磁学、电学和光学等领域展现出巨大潜力，但仍面临居里温度低、合成可控性差等问题。研究目的是探讨二维磁性材料在自旋轨道矩（SOT）、磁性隧道结（MTJ）等器件中的优势机理，并解决关键问题如提高自旋极化电子隧穿效率等。结论指出，二维磁性材料及其异质结在低能耗SOT器件和高性能MTJ中具有显著优势，但仍需解决居里温度低、界面氧化等挑战。未来研究应聚焦高通量计算筛选高居里温度材料、优化磁化翻转过程等方向，以推动高性能、低能耗的二维信息存储和逻辑器件的发展。