纽约州立大学团队：精准控制合成带隙可调的二氧化锡纳米晶 | Precis. Chem.

本文研究了二氧化锡（SnO₂）纳米晶体的精准控制合成及其带隙可调性质。研究背景指出SnO₂作为一种n型半导体，在高性能钙钛矿太阳能电池中具有重要应用价值。研究目的是通过调整合成参数（如氧化剂、反应温度、溶剂和反应时间）来精确控制SnO₂纳米晶的尺寸和形貌，并探究其对带隙结构的影响。实验结果表明，不同合成条件下得到的SnO₂纳米晶具有不同的尺寸、形貌和电子结构，其中SnO₂_black纳米晶表现出最窄的带隙和最高的氧缺陷浓度。结论指出，通过深入理解纳米晶体的形成机制，可以实现其结构和性能的可控设计，为特定应用需求提供定制化材料。