N掺杂石墨烯/MOF纳米催化剂在模拟电化学环境中的电催化性能及材料降解研究

本文研究了N掺杂石墨烯/MOF（N-G/MOF）纳米催化剂在模拟电化学环境中的电催化性能及材料降解机制。背景方面，石墨烯基材料因其独特的物理、化学性能在电化学系统中表现出优异的电催化性能，但其催化稳定性、材料降解等问题仍需优化。研究目的是探究H₂O₂对N-G/MOF催化剂的影响及其降解机制。结果表明，当H₂O₂浓度超过0.1 M时，催化剂性能显著下降，主要原因是材料表面形成氧官能团，C–C键断裂，吡啶N-N官能团减少。结论指出，本研究为下一代电化学系统中石墨烯基和MOF基催化剂的改进提供了新思路。