全球五大半导体设备公司之一：Lam Research最新ALD成果

背景：在半导体器件制造中，选择性区域沉积（ASD）因其能够精确制造材料并简化处理步骤而受到关注。原子层沉积（ALD）技术因其原子级控制能力，特别适用于高宽高比和小尺寸的精密器件结构。研究目的：埃因霍芬理工大学与Lam Research泛林集团比较了三种小分子抑制剂（HAc、Hacac和Hthd）对SiO2原子层沉积在Al2O3表面的抑制作用，旨在揭示空间位阻和化学钝化对其性能的影响。结论：实验和理论计算表明，HAc和Hthd在阻止SiO2沉积方面优于Hacac，覆盖面积和表面密度的指标为选择和设计高选择性抑制剂提供了指导。