刘忠范院士领衔！北京大学，Nature大子刊！

本文介绍了北京大学刘忠范院士团队在Nature Electronics期刊上发表的最新研究，主要解决了二维材料器件中高质量介电材料制备与集成的挑战。研究团队成功设计并制备了单晶氧化锑（Sb₂O₃）薄膜，并在石墨烯覆盖的Cu(111)衬底上实现了外延生长。该方法显著提高了石墨烯器件的性能，特别是在载流子迁移率、电子均匀性和长期稳定性方面。此外，该团队还展示了以Sb₂O₃为顶栅介电材料的二硫化钼（MoS₂）器件，获得了优异的电子性能。这一研究为二维材料器件的制造提供了新的解决方案，并拓宽了该技术的应用范围。