浙大朱铁军教授团队，Science！

本文介绍了浙江大学朱铁军教授团队在《科学》杂志上发表的研究成果，首次实验验证了半赫斯勒窄禁带半导体材料的压电效应。研究背景基于半赫斯勒材料在热电、磁性等领域的广泛应用，以及其压电效应的理论预测。研究目的是通过高质量单晶生长技术，探索这些材料在压电领域的应用潜力。研究团队成功制备了基于TiCoSb-[111]切型晶片的原型压电器件，并展示了其在不同应力条件下的稳定电压响应及为电容器充电的应用。结论指出，半赫斯勒材料在压电领域具有潜在应用前景，其压电响应在室温至1173K范围内保持稳定，为新型压电材料设计及多功能效应协同的电子器件开发提供了新思路。